本發明涉及一種電容式超聲傳感器芯片,其包括表面設有第一區域和第二區域的摻雜硅襯底;所述第一區域具有金屬導電層延伸至第二區域的集成電路;所述位于第二區域的金屬導電層上覆蓋有附加膜,所述附加膜上覆蓋有可導電的振動膜,所述附加膜中具有連接振動膜的接觸通孔,所述附加膜和振動膜之間形成有空腔。上述電容式超聲傳感器芯片中,系在CMOS標準制造工藝的集成電路的金屬導電層上覆蓋附加膜、犧牲層及可導電的振動膜,最終制成傳感器微單元,不改變現有CMOS工藝,兼容性好。此外,還涉及一種電容式超聲傳感器芯片的制作方法。