聯系人: 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地: 江蘇蘇州市
摘要:本發明提供一種電場增強結構,包括基底層及設置在所述基底層表面的介質層,還包括設置在所述介質層表面的隔離層及設置在所述隔離層表面的介電顆粒層,所述介電顆粒層由多個介電顆粒形成,所述介電顆粒的折射率大于所述隔離層的折射率。本發明的優點在于,高折射率介電顆粒能夠和入射的電磁場相互作用產生諧振的電磁耦合模式,熱損耗能夠大大降低;介電顆??拷饘?,保持一定的低折射率的隔離層,介電顆粒的電磁諧振模式能夠與鄰近金屬的等離激元模式相互作用,導致介電顆粒和金屬之間形成極大的電磁增強場;低折射率隔離層的存在能夠避免金屬和探測物直接接觸,有效防止探測物的拉曼信號、熒光信號等的淬滅現象的發生。