聯系人: 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地: 江蘇蘇州市
摘要:本發明揭示了一種太赫茲波探測器,以具有較高二維電子濃度的高電子遷移率場效應晶體管為基本結構單元,場效應晶體管具有源電極、柵電極和漏電極,其特征在于:太赫茲波探測器的器件結構包括三個引線電極、三個低通濾波器以及一組太赫茲波耦合天線,場效應晶體管的三個電極與太赫茲波耦合天線相連,共同作為天線;并且三個電極分別通過一低通濾波器與對應的引線電極相連。本發明通過低通濾波器把天線跟引線電極隔離,能夠保證天線的諧振性能,阻止由天線產生的高頻THz波信號通過直導線向引線電極泄漏而導致器件響應度的下降;歐姆接觸同時為源、漏電極和天線結構,使得器件結構緊湊,便于集成,為實現太赫茲波探測器的陣列化和大規模應用奠定基礎。