[00091956]半絕緣自支撐氮化鎵材料表面歐姆接觸的制備方法
聯系人： 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地： 江蘇蘇州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種半絕緣自支撐氮化鎵材料表面歐姆接觸的制備方法。在一典型實施方案中，所述制備方法包括s11、在氮化鎵材料鎵面蒸鍍Ti/Al/Ni/Au四層金屬；s12、在氮氣氣氛下退火，形成歐姆接觸?；蛘?，所述制備方法包括s21、對氮化鎵材料氮極性面進行表面處理，采用感應離子耦合刻蝕氮極性面以去除表面損傷層，通過退火進行表面修復；s22、在氮化鎵材料氮極性面蒸鍍Ti/Al/Ni/Au四層金屬，形成歐姆接觸。本發明使用簡單的工藝，就可以獲得在半絕緣自支撐氮化鎵襯底制備歐姆接觸。同時避免臺階的刻蝕，光刻圖形簡單，使用的是常規的鈦/鋁/鎳/金這四層金屬，對于工藝的加工要求十分簡單。
