[00091955]III族氮化物增強型HEMT及其制備方法
聯系人： 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所
所在地： 江蘇蘇州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種III族氮化物增強型HEMT及其制備方法。該制備方法包括：在襯底上生長形成主要由作為勢壘層的第一半導體層和作為溝道層的第二半導體層組成的異質結構，其中所述第一半導體層疊設在第二半導體層上；在第一半導體層上形成兼作鈍化層的掩膜層；對掩膜層的柵極區進行刻蝕，至暴露出第一半導體層；在所述掩膜層的柵極區內生長p型層，所述p型層與第一半導體層組成PN結；在所述p型層上設置p型柵，且使所述p型柵與p型層之間形成歐姆接觸。本發明工藝極大降低了p型柵技術的實施難度，并有效解決增強型HEMT器件的可靠性問題，以及有效抑制電流崩塌效應，從而大幅提升HEMT器件的工作性能，實現真正意義上的增強型HEMT。
