本發明涉及一種微測輻射熱計紅外探測器的制備方法,包括下列步驟:步驟A,采用CMOS工藝制造信號處理電路,同時形成紅外探測器單元半成品;步驟B,采用干法刻蝕工藝刻蝕紅外探測器單元半成品,形成腐蝕窗口;步驟C,淀積保護層,并刻蝕保護層形成側墻;步驟D,通過腐蝕窗口腐蝕硅襯底,在紅外探測器單元中制作懸空的懸臂和紅外吸收層,并形成空腔。上述微測輻射熱計紅外探測器的制備方法,采用市場上商業標準CMOS工藝與MEMS工藝相結合,可以將紅外探測單元與信號處理電路集成在一個芯片上,其制作工藝與標準CMOS工藝完全兼容,易于集成,非常適合大批量生產。相對于采用成本昂貴及工藝不成熟的SOI技術來說,成本得到大大降低,易于實現工業化量產。