[00091252]一種利用光刻膠制備三維微電極陣列的方法
技術詳細介紹
本發明公開了一種利用光刻膠制備三維微電極陣列的方法，包括：在硅襯底上形成第一光刻膠層，在第一光刻膠層上形成第一絕緣層；形成若干個陣列狀排布的、貫穿所述第一絕緣層與第一光刻膠層至硅襯底的上表面的孔洞，并在孔洞內填充金屬以形成金屬體；形成一端與金屬體的上表面連接的金屬引線；金屬引線的另一端連接焊盤；在第一絕緣層上形成第二絕緣層；第二絕緣層覆蓋金屬體的上表面以及金屬引線；去除硅襯底，使金屬體的下表面暴露出來；去除第一光刻膠層，使金屬體的下部暴露出來，形成三維微電極陣列。本發明通過在光刻膠上進行干法刻蝕形成三維結構，工藝相比現有的技術進行了簡化，制作成本也大大降低。
