本發明公開了一種Ta2O5/ZnO/HfO2非對稱雙異質結發光二極管及其制備方法。
該發光二極管在襯底自下而上依次為HfO2電子阻擋層、本征ZnO有源層、Ta2O5空穴阻擋層和第一電極,第二電極和HfO2電子阻擋層并列沉積在襯底上。采用Ta2O5作為空穴阻擋層,與HfO2電子阻擋層配合作用將載流子限制在ZnO有源層中,能有效地抑制p-GaN襯底側的發光、提高ZnO有源層的發光強度。Ta2O5/ZnO/HfO2非對稱雙異質結發光二極管發光峰值波長在680nm附近,半高寬約為150nm。制備工藝簡單、成本低廉,易于實現產業化。