本發明公開了一種高介電、低損耗聚酰亞胺/CCTO@Ag納米顆粒復合材料的制備方法。
該納米顆粒復合材料的制備方法是以聚酰亞胺為基質制備,將制備好的CCTO@Ag納米顆粒在無水乙醇中進行超聲分散之后,與聚酰亞胺單體共混于溶劑中,然后在室溫下使單體進行原位聚合反應,同時實現聚酰亞胺的共聚以及與CCTO@Ag納米顆粒的插層復合,所得的原液采用涂膜法,經過梯度退火即得到聚酰亞胺/CCTO@Ag納米顆粒復合薄膜。使用本發明方法制備的聚酰亞胺/CCTO@Ag納米顆粒復合材料與純的聚酰亞胺相比,其介電常數(103)提高30倍,納米顆粒復合材料的制備方法且具有較低的介質損耗(0。006),在高儲能電容器、人造器官以及高速集成電路等領域具有廣闊的應用前景。