本[發明專利]公開了一種薄膜擊穿現象的實時捕捉和分析方法,包括步驟:讀取薄膜擊穿現象原始圖像數據;對所讀取的圖像數據進行形態學圖像處理;對處理后的圖像數據進行圖像分割運算,將擊穿點與圖像背景分離;將所述擊穿點在原始圖像數據中進行標記,得到擊穿點分布圖;對所述擊穿點分布圖進行擊穿點的數量統計和形態學分析。本[發明專利]實現了電介質或半導體薄膜的擊穿現象的實時捕捉和統計分析,解決了傳統方法需要相當數量的樣品用于測試以確保統計數據的準確性,并且消耗大量人力物力,效率低下的問題,還解決了傳統方法由于無法實現特定擊穿現象的實時過程研究,使分析和評價薄膜擊穿誘因及其形成機理變得極為困難的問題。