[00080240]一種輕合金基光子晶體紅外隱身材料的制備方法
技術詳細介紹
本[發明專利]所述一種輕合金基光子晶體紅外隱身材料的制備方法，通過以下步驟實現：1)對輕合金進行前處理，在堿洗液中堿洗4～6min，溫度：60～70℃采用超出水沖洗干凈，在酸洗液中酸洗3～5min，溫度：25℃采用超純水沖洗干凈；2)將輕合金試樣放入含有H2SO4、H2C2O4、C3H8O3的電解液中做周期性變電壓氧化處理，得到光子禁帶處于紅外光波范圍內的光子晶體層紅外隱身材料。本[發明專利]制得的AAO光子晶體層結合力牢固，抗氧化，強度高，耐高溫性能優越，在2500～9700nm紅外范圍內，紅外發射率最低達到0.12，對紅外波段具有較高的反射率特性，操作簡單、成本較低、涂層結合力牢固、材料機械性能與耐高溫性能良好，該種涂層材料可以應用于輕質合金航空航天器的紅外隱身領域。
