[00080135]一種用于沉積納米二氧化硅的植物根邊緣細胞處理方法
技術詳細介紹
本[發明專利]公開了一種用于沉積納米二氧化硅的植物根邊緣細胞處理方法，其包括如下工藝步驟：1)收集植物幼苗根邊緣細胞于CaCl2溶液中得細胞收集液；2)將細胞收集液移至PE管中，經離心處理后棄上清液，加入濃度為0.002g/L的聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液，充分吸附；3)往步驟2)所得溶液中加入聚(4?苯乙烯磺酸鈉)溶液，充分吸附；4)根據需要重復上述步驟2)和步驟3)使細胞表面形成PDADMAC/PSS)X?PDADMAC自組裝多層膜；5)進行納米二氧化硅粒子吸附處理，得成品。本[發明專利]通過將靜電自組裝技術與模擬生物礦化過程相結合，可有效地在植物根邊緣細胞表面形成自組裝多層膜并沉積納米二氧化硅層，從而為提高植物根邊緣細胞抗鋁毒能力提供技術基礎。
