[00080008]一種抗鋁毒豌豆幼苗培植方法
技術詳細介紹
本[發明專利]公開了一種抗鋁毒豌豆幼苗培植方法，其包括如下工藝步驟：1)霧培：豌豆種子用7.5％的次氯酸鈉浸泡，用無菌超純水清洗5～6次，然后在24℃黑暗條件下用濃度為0.5mmol/L的CaCl2溶液浸泡8h后霧化培養，得豌豆幼苗；2)水培：豌豆幼苗霧培至根長為2～3cm時，將豌豆轉移到裝有霍格蘭氏營養液的不透明塑料燒杯中進行培植，加入pH＝7.0的濃度為0.005mg/mL的聚二烯丙基二甲基氯化銨溶液，充分吸附，后加入pH＝5.5的濃度為50mM/L的硅溶液，充分吸附，再用pH＝4.5的濃度為0.5mmol/L的CaCl2溶液進行適應性處理，水培周期為6天。本[發明專利]通過調整豌豆幼苗的培植方法，引入化學修飾法，使得豌豆幼苗根邊緣細胞表面沉積有納米二氧化硅層，從而賦予豌豆幼苗優異的抗鋁毒能力。
