[00073624]利用氧化鋅量子阱混雜制作的半導體激光器及其制作方法
聯系人： 西安理工大學
所在地： 陜西西安市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了利用氧化鋅量子阱混雜制作的半導體激光器，包括外延片，外延片上設置有條形發光區域，外延片的上表面生長有氧化鋅薄膜層，氧化鋅薄膜層分為兩部分，其中第一部分氧化鋅薄膜層誘導量子阱混雜后在激光器兩端的出光腔面處形成非吸收窗口，非吸收窗口的深度超過外延片中的有源區，第二部分氧化鋅薄膜層誘導量子阱混雜后在激光器條形發光區域的兩端處形成折射率光波導區域。本發明還公開了該種半導體激光器的制作方法。本發明解決了現有技術中采用量子阱混雜技術制作非吸收窗口后，無法避免發光區側面光學限制和發光區外漏電流的問題。
