聯系人: 蘇州大學
所在地: 江蘇蘇州市
摘要:本發明公開了一種全息-離子束刻蝕制備光柵的方法,首先進行全息光刻,獲得光刻膠光柵掩模,然后進行離子束刻蝕,最后去除殘余的光刻膠,獲得所需的光柵,其特征在于:所述離子束刻蝕為,先用氬離子束進行刻蝕1至3分鐘,再用三氟甲烷反應離子束刻蝕至所需槽形深度。本發明在離子束刻蝕中,采用了兩步法,首先進行氬離子束刻蝕,對光刻膠光柵掩模進行形貌修正,再采用三氟甲烷進行刻蝕,從而可以獲得較小占寬比的光柵;通過對氬離子束刻蝕的時間控制,實現對光柵占寬比的控制,方法簡便、易于實現,是控制刻蝕光柵占寬比的有效方法。