[00059512]一種超微錐電極陣列及其制備方法
技術詳細介紹
一種超微錐電極陣列及其制備方法。首先對硅片進行干濕氧化形成SiO2膜，并采用正膠在上述SiO2膜光上刻出方形窗口；其次用TMAH溶液對上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片進行濕法刻蝕形成正四棱錐形凹坑，后去除殘留的SiO2膜；然后在950℃條件下對硅片進行熱氧化形成SiO2膜，隨后在硅片上有正四棱錐形凹坑的一面用射頻磁控濺射工藝濺射超微電極材料，并經光刻和刻蝕工藝形成超微電極位置和引線圖形；再用氣相沉積工藝在超微電極材料表面沉積Si3N4薄膜，并用光刻和刻蝕工藝在上述Si3N4薄膜上刻出窗口以便裸露出超微電極鍵合窗口；最后用TMAH從背面對硅片進行減薄刻蝕直到露出一定高度的SiO2凸臺，再對該SiO2凸臺進行刻蝕以便露出具有一定高寬比的超微電極，最終得到納米尺度的超微錐電極陣列。
