交易價格: 面議
所屬行業: 自動化元件
類型: 發明專利
技術成熟度: 正在研發
專利所屬地:中國
專利號:CN201310169904.2
交易方式: 完全轉讓 許可轉讓 技術入股
聯系人: 西安交通大學
進入空間
所在地: 陜西西安市
本發明提供了一種在Si表面生成0?50納米任意高度納米臺階的方法,首先采用原子層沉積法在Si基底上制備Al2O3薄膜,然后采用光刻工藝將納米臺階平面圖形轉移到Al2O3薄膜,通過濕法刻蝕對樣品進行腐蝕,去除掩蔽層,得到納米臺階結構;所得的納米臺階具有表面粗糙度小,高度可控的特點,能夠為納米臺階樣板的制備提供一個新的方法。
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