[00055037]生長在硅襯底上的氮化鎵納米柱LED外延片及其制備方法
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了生長在硅襯底上的氮化鎵納米柱LED外延片，包括多根生長在硅襯底上的納米柱；每根納米柱由下至上依次包括非摻雜含銦氮化鎵納米柱、n型摻雜氮化鎵層、銦鎵氮/氮化鎵多量子阱、p型摻雜氮化鎵層。本發明還公開了生長在硅襯底上的氮化鎵納米柱LED外延片的制備方法，包括以下步驟(1)硅襯底的清洗；(2)金屬銦液滴的沉積(3)非摻雜含銦氮化鎵納米柱的生長；(4)n型摻雜氮化鎵層的生長；(5)銦鎵氮/氮化鎵多量子阱的外延生長；(6)p型摻雜氮化鎵層的外延生長。本發明具有生長工藝簡單，制備成本低廉的優點，且制備的LED外延片缺陷密度低、結晶質量好，電學、光學性能好。
