交易價格: 面議
所屬行業: 納米及超細材料
類型: 發明專利
技術成熟度: 正在研發
專利所屬地:中國
專利號:CN201710377563.6
交易方式: 完全轉讓 許可轉讓 技術入股
聯系人: 華南師范大學
所在地: 廣東廣州市
摘要:本發明涉及一種一步模板法制備有序鐵電納米點陣列的方法,其包括以下步驟S1采用脈沖激光沉積法在襯底上沉積高性能外延鐵電薄膜;S2轉移單層PS小球至鐵電薄膜表面作為掩模板;S3將附有掩模板的襯底用氧等離子體刻蝕處理,得到待刻蝕樣品;S4將所述待刻蝕樣品置于離子束刻蝕機中進行刻蝕;S5去除殘留的單層PS小球掩模板,得到有序的鐵電納米點陣列。該制備方法簡單、模板清除方便,且制得的鐵電納米點保存了鐵電薄膜優異的外延性和鐵電性,適合大面積制備。
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