[00054544]一種在InP襯底上外延生長II型GaSb/InGaAs量子點的方法
聯系人： 華南師范大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子點超晶格材料及其生長方法，該超晶格材第一層為生長在InP襯底上的In0.53Ga0.47As緩沖層，第二層為GaSb量子點，第三層為In0.53Ga0.47As緩沖層，第四層為GaSb量子點；其生長方法為先在InP襯底表面生長緩沖層后，生長4～5MLGaSb量子點，再生長緩沖層，最后再生長4～5MLGaSb量子點；本發明實現了采用MBE技術在InP襯底上以S-K模式生長獲得GaSb/In0.53Ga0.47As量子點，其形貌質量好、光學性能佳；本發明方法有效避免了As-Sb互換，顯著降低了晶格失配度和Ga原子遷移。
