[00054500]采用原位生長石墨烯包覆金屬膜的復合透明電極制備方法
聯系人： 華南師范大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了一種采用原位生長石墨烯包覆金屬膜的復合透明電極制備方法，包括：步驟S1、制作龜裂模板；步驟S2、沉積網狀金屬薄膜；步驟S3、去除龜裂模板；步驟S4、原位選擇性生長石墨烯。本發明能夠確保石墨烯薄膜對網狀金屬薄膜保護的可靠性，并能夠提高復合透明電極的光透射率、導電性、機械性能以及環境穩定性，具有適于復合透明電極的大范圍低成本制備、步驟簡單、流程少、生長時間短、降低了反應溫度的優點。
