聯系人: 華南師范大學
所在地: 廣東廣州市
摘要:本發明公開了一種溶劑蒸發退火增強金屬納米線透明導電薄膜性能的方法。該方法利用金屬納米線表面配體PVP一般易溶于極性溶劑的特點,通過低沸點的醇類溶劑蒸發退火方法來去除金屬納米線表面配體PVP,減小金屬納米線間的接觸電阻,達到降低金屬納米線透明導電薄膜的方塊電阻的目的。本發明方法工藝過程簡單、成本低,可通過調節溶劑蒸發退火時間,實現對金屬納米線間接觸電阻大小的調節,實現對金屬納米線透明導電薄膜方塊電阻的調控;處理后的金屬納米線透明導電薄膜,相比未經處理的初始金屬納米線透明導電薄膜,方塊電阻降低了8%~50%。