[00054441]一種MgZnOS四元ZnO合金半導體材料及其制備方法
聯系人： 湖北大學
所在地： 湖北武漢市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開一種MgZnOS四元ZnO合金半導體材料及其制備方法，通過Mg與S同時摻雜ZnO，調節MgZnOS中Mg與Zn、O與S的比例形成全新的MgZnOS四元ZnO合金半導體材料，使得該類寬禁帶半導體的帶隙在更寬范圍內(2.94eV～3.95eV)可調，可用于紫外發光器件或光探測器件。本發明MgZnOS單晶材料為世界上首次成功合成，制備MgZnOS四元ZnO合金半導體材料對于開發波長可調的紫外光電器件具有非常重要的意義。此MgZnOS四元ZnO合金半導體材料可采用常規脈沖激光燒蝕沉積、磁控濺射、電子束蒸發等多種方法進行生長，設備和操作工藝簡單，易于控制。
