[00053713]采用電?熱耦合場加載制備多形態微納米二氧化錫的方法
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
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技術詳細介紹
摘要：本發明公開了采用電?熱耦合場加載制備多形態微納米二氧化錫的方法。該方法選取純錫或錫基合金為中間層材料；采用中間層材料將熔點和強度高于錫或錫基合金的兩截金屬材料導體端面通過釬焊連接方式組裝成夾層結構試件；將所述夾層結構試件裝夾在可控溫加熱爐腔室內；將可控溫加熱爐爐溫升至低于中間層材料熔點1～5℃后，對試件通以峰值電流密度不低于1.0×104A/cm2的電流后使夾層結構試件快速斷裂，試件中間層部位斷裂區域處的錫被氧化成多種形態的二氧化錫。本發明利用電?熱耦合場加載由純錫或錫基合金中間層連接的導電構件制備二氧化錫，制備過程簡單、工藝實施便捷，且耗能低、成本低、無環境污染。
