[00053506]InGaAs薄膜
聯系人： 華南理工大學
所在地： 廣東廣州市
- 服務承諾
- 產權明晰
-
資料保密
對所交付的所有資料進行保密
- 如實描述
技術詳細介紹
摘要：本實用新型公開了InGaAs薄膜，依次包括GaAs襯底和GaAs緩沖層、In0.6Ga0.4As大失配緩沖層、In0.3Ga0.7As外延薄膜。其中In0.6Ga0.4As大失配緩沖層和In0.3Ga0.7As外延層都可采用分子束外延生長或金屬有機氣相沉積技術制備，通過該大失配緩沖層降低由于失配應力造成的各類缺陷，所制備的In0.3Ga0.7As外延層缺陷密度較低，具有緩沖層結構簡單、外延生長過程簡便、In0.3Ga0.7As外延薄膜缺陷密度低、晶體質量高等優點。
