摘要:本發明公開了一種用于仿壁虎腳微納分級結構的制造工藝,包括:S1、使用LPCVD設備在潔凈的硅片上熱生長一層SiO2薄膜;S2、在有SiO2層的硅片表面旋涂光刻膠并進行光刻,制備出圓孔陣列圖形;S3、使用緩沖氫氟酸溶液對暴露出的SiO2進行刻蝕,將光刻膠上的圖形轉移到SiO2層;S4、在樣品表面鍍一層Cu膜;S5、在丙酮或乙醇中進行超聲,通過溶脫剝離工藝去除表面的光刻膠及光刻膠表面的Cu;S6、利用CVD-VLS生長工藝,以上述工藝制備的Cu為催化劑,以SiCl4為硅源,以H2為載氣,生長Si微米線陣列;S7、在硅線表面鍍一層Cu膜;S8、利用CVD-VLS生長工藝,以S7制備的Cu膜為催化劑,以SiCl4為硅源,以H2為載氣,在Si微米線表面生長Si納米線。本發明提供的微納分級結構中Si微米線的表面分布有Si納米線,即一種仿壁虎腳微納分級結構,為干性黏附材料的設計與制造提供了一種解決方案。