摘要:本發明公開了一種互補金屬氧化物半導體全集成71-76GHz?LC壓控振蕩器,采用差分NMOS交叉耦合結構實現,與PMOS交叉耦合結構相比,貢獻的寄生電容較小,因而能夠獲得更高的振蕩頻率。此外,壓控振蕩器中的差分電感采用U形傳輸線差分電感,具有較小的感值,可以進一步提高振蕩頻率。本發明的振蕩電路,其調諧范圍為70.97-76.76GHz,在中心頻率73.86GHz下,1MHz和10MHz頻偏處相位噪聲分別為-89.47dBc/Hz和-116.2dBc/Hz,功耗為10.8毫瓦??勺鳛镋-band無線通信系統的本振信號源,也可作為頻率綜合器中的壓控振蕩器使用。