交易價格: 面議
所屬行業: 電子元器件
類型: 發明專利
專利所屬地:
專利號:CN201810300763.6
交易方式: 完全轉讓
聯系人:
所在地: 天津天津市
本發明揭示了一種晶圓級芯片封裝結構及其制作方法,制作方法包括在晶圓上芯片的鈍化層中形成第一凹槽和第二凹槽,第一凹槽暴露出金屬墊,第二凹槽圍繞第一凹槽,并在此基礎上形成凸點下金屬層和凸點。借助于圍繞在第一凹槽周圍的第二凹槽,使得刻蝕時,降低了沿芯片表面對第一金屬層的侵蝕,并且凸點在回流后能夠進入第二凹槽,從而提高剪力,防止脫落,可以確保凸點的大小,獲得高質量的凸點。
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