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所在地: 天津天津市
本發明提供一種碳納米管模塊、半導體器件及制造方法,所述碳納米管模塊和半導體器件的制造方法,在一個層間介質層中刻蝕出一個通孔,在所述通孔中依次層疊下電極、碳納米管和上電極,以形成碳納米管模塊,實質上借助層間介質層的通孔實現了一種碳納米管模塊制造的原位自對準工藝流程,提供了更好的工藝窗口,節省了多次化學機械平坦化工藝以及碳納米管的間隔工藝,簡化了工藝流程,并且為后續膜層的制造提供了更加平坦的工藝表面,從而可以大大提高成品率并降低制造成本。本發明的碳納米管模塊和半導體器件,其碳納米管模塊的下電極、碳納米管和上電極依次層疊在層間介質層的通孔中,能夠減小簡化工藝流程和工藝的偏差,提高器件成品率和性能。