[00049704]半導體垂直結構和半導體器件的制造方法
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技術詳細介紹
本發明提供一種半導體垂直結構和半導體器件的制造方法，至少在半導體材料層的表面上覆蓋一金屬催化劑層后，再以所述圖案化掩膜為掩膜，在金屬催化劑層的催化作用下對所述半導體材料層進行刻蝕，以形成半導體垂直結構，能夠較為精確地控制形成的半導體垂直結構的關鍵尺寸，改善半導體垂直結構的線條粗糙度，進而提高具有該半導體垂直結構的半導體器件的性能，適用于微米級或納米級的半導體垂直結構的制造。
