[00049603]半導體器件的制造方法
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技術詳細介紹
本發明提供一種半導體器件的制造方法，先在第一區和第二區內形成頂面高度不同的第一虛擬柵極結構和第二虛擬柵極結構，然后利用層間介質層將頂面高度相對較低的第一虛擬柵極結構保護起來，并將第二虛擬柵極結構替換為第二金屬柵極結構，之后再次通過化學機械平坦化工藝對第二虛擬柵極結構頂面的高度進行較低，直至暴露出第一虛擬柵極結構，由此可以將第一虛擬柵極結構替換為第一金屬柵極結構，本發明的方法避免了原有的形成不同的功函數層時的光刻工藝和刻蝕工藝，使得第一金屬柵極結構和第二金屬柵極結構的形成工藝能夠相互獨立，不會對彼此所在的半導體襯底的區域帶來額外的工藝損傷，提高最終制得的半導體器件的性能。
