[00049586]半導體指紋傳感器及其制作方法
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技術詳細介紹
本發明公開了一種半導體指紋傳感器及其制作方法，通過在半導體指紋傳感器的像素區域中的第一金屬互連層結構的頂層金屬層上直接覆蓋一保護層。這樣，與現有技術相比，本發明形成的半導體指紋傳感器的像素區域中，第一金屬互連層結構和保護層之間就沒有了鈍化層，于是，在半導體指紋傳感器中就不存在鈍化層所產生的電容，即減少了半導體指紋傳感器中的噪聲電容，可以提高半導體指紋傳感器性能。
