[00049206]一種GaInAs激光電池外延層及其制備方法
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技術詳細介紹
本發明公開了一種GaInAs激光電池外延層及其制備方法，屬于太陽能電池外延技術領域，所述GaInAs激光電池外延層包括：自下而上依次設置的GaAs襯底、Ga1?xInxAs緩沖層、Ga1?xInxAs過充層、背場層、基區層、發射區和窗口層；Ga1?xInxAs緩沖層的厚度范圍為100nm?4000nm；Ga1?xInxAs過充層的厚度范圍為100nm?500nm；背場層的厚度范圍為50nm?500nm；基區層的厚度范圍為50nm?5000nm；發射區層的厚度范圍為50nm?1000nm；窗口層的厚度范圍為50nm?1000nm。
