[00049049]半導體器件及其制造方法
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技術詳細介紹
本發明提供一種半導體器件及其制造方法，所述制造方法中，通過回刻蝕所述虛擬柵極結構兩側的鰭片，使所述犧牲層短于所述溝道層而在相鄰兩層溝道層之間形成凹槽，然后在凹槽中形成覆蓋犧牲層的間隔側墻，并在虛擬柵極結構兩側外延生長源漏外延層后去除虛擬柵極結構和犧牲層，以暴露出溝道層，然后形成覆蓋所述溝道層的側壁上的保護側墻；利用保護側墻對所述溝道層側壁的保護來提供工藝空間，以對所述溝道層和所述間隔側墻進行修剪，通過多次對溝道層和間隔側墻的修剪，可以形成向所述源漏外延層逐漸變粗的納米線溝道結構，能夠增加溝道的有效寬度以及有效面積，有效降低源漏區的電阻，提高器件的柵控能力以及輸出電流特性。
