交易價格: 面議
所屬行業: 電子元器件
類型: 發明專利
專利所屬地:
專利號:CN201810836291.6
交易方式: 完全轉讓
聯系人:
所在地: 天津天津市
本發明提供了一種重布線層的制造方法、晶圓級封裝方法及半導體結構,首先在基底上形成第二介質層,再在所述第二介質層中形成多個暴露出所述焊墊的多通孔結構,接著形成重布線層,所述重布線層覆蓋部分所述第二介質層和所述多通孔結構中各通孔的內壁。由于在所述第二介質層中形成多個暴露出所述焊墊的多通孔結構,所述多通孔結構可以減弱所述多通孔結構內的介質層對重布線層的應力,進而避免了重布線開路,提高了封裝的質量,使芯片的良率和可靠性進一步提升。
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