[00046685]一種多晶硅振膜結構的制作方法
技術詳細介紹
摘要：本發明提供一種多晶硅振膜結構的制作方法?，F有方法易導致薄膜的形狀及尺寸偏離最優值，影響多晶硅振膜的工作性能。本發明方法首先在基底上依次制備下SiO2薄膜層和下多晶硅薄膜，然后將下多晶硅薄膜層刻穿，形成圓環形的溝槽結構，再在其上依次制備上SiO2薄膜層和上多晶硅薄膜層，依次將基底和下SiO2薄膜層刻穿，形成通孔，將下多晶硅薄膜層的圓環形的溝槽內填充的SiO2腐蝕干凈，最后沿圓環形的溝槽，將上SiO2薄膜層刻穿，完全釋放上多晶硅薄膜層以下的微腔，形成多晶硅振膜結構。本發明方法避免化學機械拋光工藝及其不利影響，能夠精確控制多晶硅振膜的尺寸與形狀，提高振膜的可靠性以及基于該振膜的器件的工作性能。
