聯系人: 哈爾濱工業大學
所在地: 黑龍江哈爾濱市
摘要:本發明提出了基于半模波導結構的基片集成波導定向耦合器,屬于集成波導技術領域?;诎肽2▽ЫY構的基片集成波導定向耦合器包括第一層介質基板、第二層介質基板和端口;第一層介質基板的上表面設有上金屬層,第一層介質基板的下表面設有耦合金屬層;上金屬層包括饋線、波導上表面以及邊緣孔一;耦合金屬層上設有耦合孔;第二層介質基板的上表面緊貼于第一層介質基板下表面的耦合金屬層;第二層介質基板的下表面設有下金屬層;下金屬層包括彎折饋線和波導下表面;上金屬層和下金屬層的長邊單側均設有金屬過孔陣列。該定向耦合器的結構更加緊湊,大幅度的減少了定向耦合器的橫向尺寸,同時提高了其實際性能。