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所在地: 江蘇鎮江市
用直流電阻率法的單極-偶極裝置在全測區形成相互交錯的正交觀測系統;應用該三維高分辨電阻率勘探及直接成像方法可以克服現有二維高分辨電阻率勘探方法由于旁側效應引起的洞道定位不準,和洞道形狀不確定的問題。較一般的三維高密度電阻率勘探對地下洞道的敏感性高,真正實現了對地下分析分辨單元的多次覆蓋測量。
性能指標
具有較強的抗干擾和剔除靜態偏移的能力,易于實現測區的滾動測量和無縫銜接。三維直接成像方法快速、有效,無不易收斂的問題。該方法可以獲得更精確的地下洞道的位置、大小和形狀的信息,對于研究淺層精細地質結構有重要意義。
適用范圍、市場前景
該項成果申報的專利已經授權
發明專利【授權】 三維高分辨電阻率勘探及直接成像方法。 專利號ZL 2008 1 0022181。2 授權公告號 CN 101334484 B
項目成果可以技術轉讓形式供地質勘探儀器制造部門新儀器研制方案,或者勘探部門按照技術描述直接應用。