[00035111]一種基于垂直磁隧道的自旋力矩存儲器件
技術詳細介紹
項目簡介：2009年，自旋力矩存儲器件被提出，它可以為大密度非易失性存儲器和神經形態計算提供快速，低功耗和無限大的存儲行為。
項目核心創新點：一種基于垂直各向異性磁隧道的納米級自旋-轉矩存儲器件具有CoFeB/W/CoFeB復合自由層結構的L結。 它的隧穿磁電阻大于200%，并且可以通過自旋轉移轉矩開關實現記憶行為。 通過圍繞W原子團簇的魯棒疇壁釘扎來維持記憶態，其中通過相反的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用之間的競爭和由Ruderman-Kittel-Kasuya-Yo引起的起伏的層間耦合可以形成納米尺度的垂直手征自旋織構。
項目詳細用途：用于制造功能先進強大的計算存儲器。
預期效益說明：預計可以產生經濟效益20億元。
