[00031539]一種二維過渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應用
技術詳細介紹
本發明公開了一種二維過渡金屬二硫族化合物單晶及其制備方法和應用。在惰性氣氛中，借助常見的可與硫族單質(S，Se)反應的金屬和氫氣輔助控制體系中S或Se的濃度，以達到控制過渡金屬層硫化或硒化程度的目的，利用化學氣相沉積方法可控地生長TMDs單晶；將沉積時的溫度控制為750℃至850℃，并且沉積時間控制為5至15分鐘，完成TMDs單晶的制備；其中通過對基底濺射處理方法、硫族單質粉末用量、吸S/Se金屬面積和種類、氫氣濃度、生長溫度、生長時間等制備參數的優化，實現對高質量二維過渡金屬二硫族化合物單晶結構的嚴格控制。
