成果簡介:
隨著電子技術的發展,小型集成度高的電子板的應用越來越廣泛,由此而引發的傳熱問題是影響其使用壽命的關鍵因素,優良的導熱材料氮化硼材料高昂的價格是制約其應用主要原因。為替代日本生產導熱氧化鋁的壟斷,本課題組開發出了一種采固相高溫焙燒結合晶體生長控制法制備高熱球形氧化鋁的制備技術。該工藝簡單、環境友好、生產彈性大、制備出結晶度高球形氧化鋁,可替代(主要是日本Darker)導熱氧化鋁,并應用于導熱硅膠。
技術指標:
化學成分/% | α相/% | pH | D50/μm |
SiO2 | Fe2O3 | Na2O |
0.17 | 0.02 | 0.01 | 97 | 6-8 | 15
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應用范圍:
主要應用于導熱硅膠、導熱橡膠、電子封裝及研磨拋光等領域。
投資規模:
投資規模按年產1000噸,需投資1200萬元;達產后的年銷售收入1億元左右,利稅3000萬元。