[00020712]摻氮直拉硅單晶氮及相關缺陷的研究
技術詳細介紹
該項目涉及微電子的基礎和關鍵材料－硅單晶的基本特性研究，屬于信息科學領域。
20世紀80年代末期我國獨創了減壓充氮生長直拉硅單晶。自1991年起，該項目系統開展了摻氮直拉硅單晶相關缺陷與性能的基礎理論研究，證明氮影響直拉硅單晶的電阻率穩定，提出氮對熱和新施主的抑制作用機理，揭示摻氮直拉硅單晶缺陷的結構、性質和作用，形成較完整的對摻氮直拉硅單晶相關缺陷物理內涵的認識，解決了摻氮直拉硅單晶在超大規模集成電路中應用的基本科學問題。
該項目已受到國際同行和國際硅單晶制備業的重視。該項目在摻氮直拉硅單晶相關缺陷與性能的基礎理論研究所取得的成果，促進了國內外微電子事業的基礎-超大規模集成電路用大直徑硅單晶的發展。微摻氮技術具有抑制微缺陷、吸雜能力強、機械強度高等優點，對8英寸直徑以上的硅單晶質量的優化有著重要的科學意義和實用價值。目前，摻氮直拉硅單晶已經成為國際硅產業界的重要新品種。
該項目共發表論文88篇，其中SCI論文41篇(占同期國際摻氮直拉硅單晶SCI論文47%以上)，El論文11篇（和SCI不重復檢索），國際會議論文36篇（大會邀請報告3次），獲國家發明專利2項。被SCI論文他引70次。
