[00120610]6英寸新型電力電子器件用硅外延片

硅外延是一種半導體材料薄膜生長技術，即將硅襯底在還原性氣氛中加熱，并輸入硅源和摻雜氣體，使之反應，生成硅原子淀積在襯底上，長出具有與襯底相同晶向的硅單晶層，其電阻率和厚度符合特定要求。電力電子器件又可稱為開關器件，其工作過程就是能量過渡過程。隨著關鍵技術的突破以及需求的發展，早期的小功率、低頻、半控型器件發展到了現在的超大功率、高頻、全控型器件，新型電力電子器件向著大功率、易驅動和高頻化方向發展，大大提高了開關控制的靈活性，這些器件主要有電力場控晶體管（功率MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、靜電感應晶體管（SIT）、靜電感應晶閘管（SITH）和MOS控制晶閘管（MCT）等。作為發展最為迅速的新型電力電子器件，VDMOS和IGBT均采用超大規模集成電路的微細加工工藝技術制作，其基片材料為特殊規格的硅外延片。國內資深的硅外延片生產企業--南京國盛電子有限公司充分發揮自身的技術優勢，在4、5英寸硅外延片產業化的基礎之上，自主設計了外延生產特氣輸送供應系統，采用特殊規格的重摻雜單晶襯底，開發HCl變溫氣相腐蝕技術、外吸除技術、H2高溫退火技術以及多層結構外延生長技術，提高外延層專用測試技術的測量精度及穩定性，優化外延生產流程、工藝條件以及過程控制技術，通過改善量化指標提高過程控制能力，經過3年多的技術攻關和持續改進，形成了一整套自主知識產權的6英寸VDMOS與IGBT硅外延片批量生產工藝技術，同時申請了多項國家專利。