[00012155]準一維納米線陣列材料的氧化鋁模板合成
技術詳細介紹
技術投資分析：
近年來，多孔氧化鋁模板(AAM)被廣泛用于制備準一維納米線有序陣列體系，相對于光刻法、分子束外延法、化學氣相沉積等方法具有下面一些獨特的優點：孔徑在5-200nm范圍內可調，厚度可以從幾微米到幾百微米，孔密度高達109-1012個/cm2，熱穩定性好、重復性好，同時，氧化鋁模板法還具有制備簡單、價格低廉的特點，因此倍受人們青睞。電化學共沉積工藝作為一種傳統的材料制備方法，也具有很多優點：①工藝簡單，容易控制各種金屬離子的沉積量，便于實現大規模生產；②可以制備多種納米材料，如：金屬（Fe、Ni等）、合金（Ni5Zn21、Ag7Te4等）、半導體（CdS、ZnO等）等；③所制備的納米線陣列的致密度高。將AAM模板和電化學共沉積技術相結合，是制備納米線陣列材料的一種很好的方法。
技術的應用領域前景分析：
隨著高新技術的發展，應用領域十分寬廣。
效益分析：
該技術可應用于相關企業提升產品效率，具有較大經濟效益。
廠房條件建議：
無
備注：
無
