[00010792]寬禁帶半導體材料中深能級中心的光離化截面測試方法
技術詳細介紹
專利簡介：
本發明涉及一種寬禁帶半導體材料中深能級中心光離化截面的測試方法，該方法建立了計算光離化截面的公式和測試步驟，通過綜合考慮GaN材料中深能級中心與入射光子相互作用同時存在載流子發射和俘獲的基礎上，給出了一種基于光電流分析的深能級中心光離化截面的新測試思路，即，在保證光電流變化為恒定的情況下，深能級中心的光離化截面與入射光強度成反比，并給出了一種基于PID技術的深能級中心測試方法。本發明操作方便、測試誤差小、適用性強，可推廣應用于寬禁帶半導體材料和器件中深能級中心光離化截面的測試。
合作方式：許可、轉讓或面議
