交易價格: 6 萬元
所屬行業: 微電子
類型: 發明專利
技術成熟度: 正在研發
專利所屬地:中國
專利號:ZL201210036104.9
交易方式: 資料待完善
聯系人: 竇劍主任
進入空間
所在地: 安徽合肥市
一種單端操作的亞閾值存儲單元電路,設有兩個PMOS管P1、P2及七個NMOS管N1~N7,P1及P2的體端均分別與各自的源級連接后與電源電壓Vdd連接,七個NMOS管N1~N7的體端以及N1、N2、N7的源極均接地,N3的柵極與行寫控制信號RWR連接,N4的柵極與列寫控制信號CWR連接,N2與P2組成一個反相器,其輸出端連接到N2和P2的柵極,其輸入端連接到P1的漏極,N5的柵極與讀字線RWL連接,N5的漏極與讀位線RBL連接,N6的源級與寫位線WBL連接,N6的柵極與寫字線WWL連接。
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