一種雙位線亞閾值存儲單元電路
一種雙位線亞閾值存儲單元電路,采用雙端讀寫操作,電路包括第一反相器和第二反相器,兩個反相器連接成交叉耦合,采用讀寫位線分離的雙位線結構,交叉耦合的兩個存儲節點分別通過一個NMOS管連接到兩根寫位線上,同時交叉耦合的兩個存儲節點通過一個NMOS管與一個PMOS管連接到兩根讀位線上。本實用新型采用PMOS襯底調節技術,即將所有的PMOS的襯底端都連接到其柵端,能夠在保證系統不增加額外管理功耗和不降低性能的前提下,實現動態操作能耗和靜態操作中泄漏功耗的同時降低,提高了存儲單元的靜態噪聲容限,使系統性能最優化。