一種高密度、高魯棒性的亞閾值存儲電路
一種高密度、高魯棒性的亞閾值存儲電路,包括四個PMOS管P0~P3,六個NMOS管N0~N5,其中PMOS管P0與NMOS管N0,PMOS管P1與NMOS管N1以及PMOS管P2與NMOS管N2分別組成第一、二、三共三個反相器,第一、二反相器與NMOS管N4管組成交叉耦合的反相器鏈,第一反相器的輸入連接第二反相器的輸出,第二反相器的輸入連接NMOS管N4的漏端,N4的源端連接第一反相器的輸出,第一反相器的輸出連接第三反相器的輸入,第三個反相器的輸出連接NMOS管N5的源端,N5的漏端連接讀位線RBL,第二個反相器的輸入連接到PMOS管P3、NMOS管N3組成的傳輸門的輸出端,而傳輸門的輸入端接寫位線WBL,PMOS管P0~P3、NMOS管N3~N5管襯底與柵連接。