相關證件：
會員類型：
會員年限：3年
許俊權 
電話：0755-83234840
手機：13530404658
CT3063 兆龍CT MICRO DIP-6
600V/800V 過零 6 引腳光電三端雙向可控硅光耦合器
封裝外形示意圖
注意：提供不同的引線成型選項。 請參閱包裝尺寸。
CT3063 特征
高隔離 5000 VRMS
峰值擊穿電壓
600V – CT3061,3062,3063
800V – CT3081,3082,3083
溫度范圍 - 55 °C 至 100 °C
CT3063 應用
電機控制
燈鎮流器
靜態交流電源開關
電磁閥/閥門控制
描述
CT3061、CT3062、CT3063、CT3081、CT3082 和 CT3083 系列
由一個零交叉光電雙向可控硅光耦合到砷化鎵紅外發光二極管，
采用 6 引線 DIP 封裝，具有不同的引線成型選項。
CT3063尺寸圖
參數圖
Absolute Maximum Rating at 25℃
符號 參數 額定值 單位 注釋
VISO 隔離電壓 5000 VRMS
TOPR 工作溫度 -55 ~ +100℃
TSTG 儲存溫度 -55 ~ +150℃
TSOL 焊接溫度 260℃
發射器
IF 正向電流 60 mA
IF(TRANS)峰值瞬態電流(≤1μs P.W,300pps) 1 A
VR 反向電壓 6 V
PD 功耗 100 mW
探測器
PD 功耗 300 mW
VDRM 斷態輸出端電壓
CT3061,3062,3063 600V
CT3081,3082,3083 800V
ITSM 峰值重復浪涌電流 1 A
電氣特性 TA = 25°C（除非另有說明）發射器特性
符號參數 測試條件 Min Typ MaxUnitsNotes
VF 正向電壓 IF=10mA - - 1.5 V
IR 反向電流 VR = 6V - - 5 μA
CIN 輸入電容 f= 1MHz - 45 - pF
探測器特性
符號參數 測試條件 Min Typ Max UnitsNotes
IDRM1 峰值阻塞電流 CT3061,62,63 CT3081,82,83
IF= 0mA, VDRM= 額定 VDRM- - 500 nA
IDRM2 抑制漏電流 IF= 額定 IFT，VDRM= 額定
VDRM- - 500 μA
VINH 抑制電壓 IF= 額定 IFT,- - 20 V VTMPeak 通態電壓 IF= 額定 IFT, ITM= 100mA - - 3 V
dv/dt 關態電壓的臨界上升率
CT3061,62,63V PEAK= 額定 VDRM 1000 - - V/μs
CT3081,82,83 600 - - 傳輸特性
SymbolParameters 測試條件 Min Typ Max UnitsNotes
IFT Input 觸發電流 CT3061, CT3081 端電壓 = 3V ITM=100mA - - 15 mA
CT3062, CT3082 - - 10
CT3063、CT3083 - - 5 IH 保持電流 - 380 - μA
RIO 隔離電阻 VIO= 500VDC 1x10的11次方- - Ω
CIO 隔離電容 f= 1MHz - 0.25 - pF
詢價
