深圳市奧詩達電子有限公司

奧詩達LTV-354T/LTV-354T-A 貼片光寶光耦

特征
交流輸入響應
電流傳輸比（ CTR : MIN. 20% at IF = ±1mA, VCE = 5V ）
高輸入輸出隔離電壓 (Viso = 3,750Vrms)
迷你扁平封裝：LTV-354T系列
RoHS 合規性
ESD 通過 HBM 8000V/ MM2000V /CDM2000V
MSL 等級 1
無鹵素選項

LTV-354T應用
需要高密度安裝的混合基板。
可編程控制器
系統器具、測量儀器

尺寸圖

包裝圖

參數

ABSOLUTE MAXIMUM RATING(TA=25℃）
參數 符號 評級 單位
輸入
正向電流中頻 ±50 mA
功耗 P 70MW
輸出
集電極電流電壓 VCEO 35V
發射極-集電極電壓 VEcO 6V
集電極電壓 Ic 50 mA
集電極功耗 Pc 150 mW
總功耗 Ptot 170 mW
*1 隔離電壓 3,750 Vrms
工作溫度 -55~+100 ℃
儲存溫度 -55~+150℃
*2 焊接溫度 260 ℃
*1. 交流電 1 分鐘。 相對濕度=40-60%
隔離電壓應使用以下方法測量
(1) yi次側陽極和陰極之間以及集電極和陰極之間短路
第二個發射器
(2)應使用帶過零電路的隔離電壓測試儀
()外加電壓波形為正弦波

描述 符號 尺寸 單位 為毫米（英寸）
膠帶寬 W 12±0.3(.47)
鏈輪孔間距 P0 4±0.1(.15）
隔間距離
F 5.5±0.1(.217)
P2 2±0.1(.079)
隔間到隔間的距離
P1 8±0.1(.315)

Ta=25°C 時的電光學特性
參數符號  MIN. TYP. MAX. 單位. 測試條件
輸入
  正向電壓 VF — 1.2 1.4 V IF=±20mA
  終端電容 Ct — 30 250 pF V=0, f=1KHz
輸出
  集電極暗電流 ICEO — — 100 nA VCE=20V，IF=0
集電極-發射器
擊穿電壓
BVCEO 35 — — V IC=0.1mA, IF=0
發射極-集電極
擊穿電壓
BVECO 6 — — V IE=10μA，IF=0
集電極-發射器
飽和電壓
VCE(sat) — 0.1 0.2 V
中頻=±20mA
IC=1mA
  隔離電阻 Riso 5×1010 1×1011 — Ω
DC500V，
40 ~ 60% 相對濕度
  浮動電容 Cf — 0.6 1 pF V=0, f=1MHz
  響應時間（上升）tr — 4 18 μs
VCE=2V，IC=2mA
RL=100Ω，響應時間（下降）tf — 3 18 μs

CTR Rank   Min   Max   Condition 
GR    100  300    IF=±5mA, VCE=5V, Ta=25℃
A      50    150 
B      80    400 
B2    100   400 
No mark   20   400
（IF=±1mA, VCE=5V, Ta=25℃）